Nanopolvere SiC 50nm 100nm 500nm
La nanopolvere SiC 50nm 100nm 500nm è una polvere ultrafine di carburo di silicio prodotta mediante sintesi chimica. Si chiama anche polvere di nano carborundum. La nanopolvere di carburo di silicio ha le caratteristiche di elevata resistenza, durezza e purezza. È ampiamente utilizzato in campi quali nanomateriali, polveri di macinazione, ceramiche speciali e materiali compositi.
Caratteristica:
- Elevata purezza del carburo di silicio. La purezza della nanopolvere SIC è superiore al 99% e il contenuto di carburo di silicio al 99% -99,99% può essere personalizzato.
- La polvere di nano carburo di silicio ha un’elevata finezza e può essere prodotta da 30 nm a 500 nm. È inoltre possibile personalizzare il carburo di silicio nano con grado di macinazione con distribuzione granulometrica stretta.
- Sia la polvere α-SiC che quella β-SiC possono essere personalizzate e prodotte in base alle esigenze.
- La polvere di nano carburo di silicio ha proprietà chimiche stabili e un’elevata resistenza alla corrosione ad alta temperatura e ai solventi alcalini acidi.
- Il carburo di nano-silicio ha un’elevata durezza e una resistenza all’usura superiore.
- La nanopolvere SiC ha un’elevata larghezza di banda proibita, nonché caratteristiche di campo elettrico di rottura critica elevata e un’elevata conduttività termica.
Specifiche della nanopolvere SiC:
Tipo | β-SiC 50nm | β-SiC 50nm | α-SiC 50 nm | α-SiC 50 nm |
Colore | Verde scuro | Verde scuro | Grigio chiaro | Grigio chiaro |
Dimensioni D50 (nm) | 50 | 500 | 50 | 500 |
Purezza SiC(%) | ≥99,9 | ≥99 | ≥99,9 | ≥99 |
Frase di cristallo | Frase β cubica | Frase β cubica | 16H una frase | 16H una frase |
*Altre specifiche sono disponibili su richiesta.
Applicazione:
- Supercondensatore
- catalizzatore
- Materiale assorbente
- Materiali per la stampa 3D
- Materiali refrattari di alta qualità
- Materiali ceramici industriali avanzati
- Rettifica e amp; avanzate polvere lucidante soprattutto nel campo dei semiconduttori.
- Additivi per materiali compositi
- Semiconduttore ad ampio bandgap di terza generazione
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