Polvere di carburo di silicio Beta ad alta purezza 4N 5N 2μm 5μm 10μm
Polvere di carburo di silicio Beta ad alta purezza 4N 5N, polvere di carburo di silicio 2μm 5μm 10μm, è carburo di silicio in fase β con una purezza pari o superiore a 5N. Il carburo di silicio cubico in fase β ha una struttura cristallina cubica 3C e la sua morfologia cristallina unica gli conferisce una durezza che si avvicina a quella del diamante, con una durezza Mohs di 9,5-9,75. La polvere di carburo di silicio β ad alta purezza viene prodotta utilizzando metodi di termoindurimento ad alta temperatura e deposizione chimica da fase vapore (CVD). Il prodotto presenta elevata purezza, alto contenuto di fase beta, granulometria controllabile, eccellente attività di sinterizzazione e buona disperdibilità. Allo stesso tempo, il carburo di silicio cubico possiede eccellenti proprietà fisico-chimiche, come elevata conduttività termica, elevata velocità di deriva degli elettroni, elevata mobilità degli elettroni, resistenza alla corrosione e buona resistenza agli shock termici. Trova ampio impiego nei settori aerospaziale, della ceramica di alta gamma, delle batterie per energie rinnovabili, del trattamento delle superfici e dei semiconduttori.
Caratteristiche prestazionali della polvere di SiC beta ad alta purezza 4N 5N, polvere di carburo di silicio da 2 μm, 5 μm e 10 μm:
- Elevata purezza, con un grado di purezza del prodotto pari o superiore a 5N.
- Contenuto di fase cubica fino al 99%, forma cristallina di fase β pura.
- Morfologia: Particelle sferiche con un’ampia gamma di dimensioni selezionabili.
- Basso contenuto di ossigeno, inferiore allo 0,3%.
- Buona attività di sinterizzazione e facile dispersione.
- Eccellente resistenza alle alte temperature, all’usura, alla corrosione e agli shock termici.
Indice fisico della polvere di SiC beta ad alta purezza 4N 5N polvere di carburo di silicio 2μm 5μm 10μm
| struttura cristallina | Cubo |
| Fase cristallina | B |
| contenuto β | ≥99% |
| Punto di fusione | 2700° |
| Temperatura di decomposizione | 2830°±40° |
| coefficiente di dilatazione termica | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| conducibilità termica | 0,255 W/cm K |
| Durezza Mohs | 9,5-9,75 |
| Durezza Vickers (microdurezza) | 3300-3500 kg/mm2 |
| Peso specifico | 3,216 g/cm³ |
Specifiche
| Specifiche | Misurare | Purezza del SiC (%) | Percentuale β | Forma |
| 5N-βSiC-100nm | 100 nm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-300nm | 300 nm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-500nm | 500 nm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-2um | 2 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-5um | 5 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-10um | 10 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-10um | 50 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Particella |
Applicazione di polvere di SiC beta ad alta purezza 4N 5N polvere di carburo di silicio 2μm 5μm 10μm
- Macinazione fine
- Ceramiche di precisione in carburo di silicio
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