Polvere di SiC 5N Carburo di silicio beta cubico 100nm 300nm 500nm
Il carburo di silicio beta ad alta purezza è carburo di silicio in fase β con una purezza pari o superiore a 5N. Il carburo di silicio cubico in fase β ha una struttura cristallina cubica 3C e la sua morfologia cristallina unica gli conferisce una durezza che si avvicina a quella del diamante, con una durezza Mohs di 9,5-9,75. La polvere di carburo di silicio β ad alta purezza viene prodotta utilizzando metodi di termoindurimento ad alta temperatura e deposizione chimica da fase vapore (CVD). Il prodotto è caratterizzato da elevata purezza, alto contenuto di fase beta, granulometria controllabile, eccellente attività di sinterizzazione e buona disperdibilità. Allo stesso tempo, il carburo di silicio cubico possiede eccellenti proprietà fisico-chimiche, come elevata conduttività termica, elevata velocità di deriva degli elettroni, elevata mobilità elettronica, resistenza alla corrosione e buona resistenza agli shock termici. È ampiamente utilizzato nei settori aerospaziale, ceramico di alta gamma, batterie per energie rinnovabili, trattamento delle superfici e semiconduttori.
Caratteristiche prestazionali della polvere di SiC 5N (carburo di silicio beta cubico):
- Elevata purezza, con un grado di purezza del prodotto pari o superiore a 5N.
- Contenuto di fase cubica fino al 99%, forma cristallina di fase β pura.
- Morfologia: Particelle sferiche con un’ampia gamma di dimensioni selezionabili.
- Basso contenuto di ossigeno, inferiore allo 0,3%.
- Buona attività di sinterizzazione e facile dispersione.
- Eccellente resistenza alle alte temperature, all’usura, alla corrosione e agli shock termici.
Indice fisico
| struttura cristallina | Cubo |
| Fase cristallina | B |
| contenuto β | ≥99% |
| Punto di fusione | 2700° |
| Temperatura di decomposizione | 2830°±40° |
| coefficiente di dilatazione termica | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| conducibilità termica | 0,255 W/cm K |
| Durezza Mohs | 9,5-9,75 |
| Durezza Vickers (microdurezza) | 3300-3500 kg/mm2 |
| Peso specifico | 3,216 g/cm³ |
Specifiche
| Specifiche | Misurare | Purezza del SiC (%) | Percentuale β | Forma |
| 5N-βSiC-100nm | 100 nm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-300nm | 300 nm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-500nm | 500 nm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-2um | 2 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-5um | 5 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-10um | 10 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 5N-βSiC-10um | 50 µm | 5N | ≥99% | sub-sferico |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Particella |
Applicazione
- Macinazione fine
- Ceramiche di precisione in carburo di silicio
- Nuove batterie energetiche
- Semiconduttori
- Rivestimenti speciali
- materiali ad alta temperatura
- Componenti elettronici
