Polvere di Carburo di Silicio verde per la lucidatura di wafer fotoelettrici
La polvere di carburo di silicio verde 2500#, 3000#, 4000# e 6000# sono i principali mezzi di macinazione per la macinazione di wafer fotoelettrici . Nell’industria dei semiconduttori, una volta la polvere di carburo di silicio verde da 2000 a 2500 maglie veniva utilizzata come materiale principale per il taglio a filo dei wafer di silicio. Con lo sviluppo della tecnologia di taglio a filo e la produzione in serie di polvere di diamante sintetico, la polvere di diamante sostituisce gradualmente la polvere di carburo di silicio verde. Tuttavia, nell’industria fotoelettrica, la polvere di carburo di silicio verde svolge ancora un ruolo importante nel campo della rettifica.
Il cristallo fotoelettrico è un componente importante di un fototransistor, che converte l’energia luminosa in energia elettrica per ottenere la conversione e l’uscita di corrente. È anche possibile rilevare impulsi ottici e convertirli in segnali pad digitali. I wafter fotoelettrici sono generalmente materiali cristallini sintetici con proprietà fotoelettriche e i materiali principali includono cristalli di niobato di litio (LiNbO3), cristalli di tantalato di litio (LiTaO3), cristalli di biossido di silicio (SiO2), cristalli di biossido di titanio (TiO2), cristalli di ossido di tellurio (TeO2) , cristalli di titanato di bario di titanio (BaTiO3) e cristalli di BBO metaborato di bario (β- BaB2O4) e così via.
La lavorazione e la macinazione dei cristalli fotoelettrici sono processi chiave nella produzione di componenti fotoelettrici. Una ragionevole rugosità della superficie del cristallo influirà sulle prestazioni dei componenti. La durezza dei cristalli fotoelettrici sopra menzionati è 7-7,5 (durezza Mohs) o 4-6 (durezza Mohs) e il carburo di silicio verde può ottenere una macinazione efficiente per questi cristalli. Il carburo di silicio verde ha una durezza Vickers di 3280-3400 kg/mm2 o una microdurezza di 33Gpa. È stabile alle alte temperature e alla maggior parte degli ambienti chimici ed è un materiale abrasivo tradizionale per la molatura di cristalli fotoelettrici.
Tuttavia, non tutta la polvere di carburo di silicio verde sul mercato può soddisfare i requisiti della macinazione del cristallo fotoelettrico. Ciò è dovuto all’uniformità e alla forma delle particelle ultrafini. Innanzitutto, l’ampiezza delle particelle della polvere di carburo di silicio verde è ampia. Le particelle grossolane di polvere abrasiva graffiano la superficie del cristallo e causano graffi. Particelle fini di polvere abrasiva porteranno a una riduzione dell’efficienza di macinazione. In secondo luogo, la morfologia delle particelle della polvere di carburo di silicio verde. Gli spigoli vivi e le particelle di polvere abrasiva a forma di ago non favoriscono la molatura di una superficie liscia. D’altra parte, le particelle relativamente arrotondate sono vantaggiose per la macinazione.
In risposta a queste due situazioni, i produttori di polvere di carburo di silicio verde possono controllare i loro processi migliorandoli. In primo luogo, la polvere abrasiva al carburo di silicio verde con grado di trabocco può ridurre la proporzione di polvere fine a particelle grossolane. Può anche controllare l’intervallo di dimensioni delle particelle della polvere di macinazione in un intervallo ristretto. Ciò garantisce la consistenza delle particelle. In secondo luogo, l’utilizzo di metodi di lavorazione fisica ragionevoli può modificare la forma delle particelle della polvere di macinazione. Dal primo processo di macinazione alla modellatura delle particelle della carreggiata posteriore, è stato implementato un controllo rigoroso, riducendo notevolmente la proporzione di particelle appuntite, colonnari e aghiformi.
