Resistori in carburo di silicio nero F100 lavati ad acqua per semiconduttori
Il carburo di silicio nero F100 lavato ad acqua è una sabbia fine di carburo di silicio prodotta mediante fusione ad alta temperatura, frantumazione, lavaggio con acidi e alcali e purificazione graduale. Soddisfa i requisiti delle valvole resistive in carburo di silicio per semiconduttori (varistori/resistori magnetizzanti). Presenta numerosi vantaggi: elevata purezza e basso contenuto di impurità, proprietà elettriche controllabili, forte stabilità termica, struttura densa, resistenza agli agenti atmosferici e durata nel tempo.
I. Elevata purezza e basse impurità, prestazioni elettriche stabili
– Elevata purezza. Dopo il lavaggio e la purificazione con acqua, il contenuto di SiC è ≥99%, il carbonio libero (FC) ≤0,2%, l’ossido di ferro (Fe₂O₃) ≤0,4% e le impurità metalliche sono estremamente basse.
– Bassa impurità e proprietà elettriche controllate. Una grande quantità di impurità magnetiche come ferro e alluminio viene rimossa, riducendo la corrente di dispersione ed evitando la corrosione elettrochimica localizzata. Le caratteristiche di resistenza non lineare della valvola sono più stabili, con una tensione residua inferiore e una risposta più rapida.
– Consistenza del lotto. I processi di lavaggio e classificazione con acqua garantiscono una granulometria concentrata (125–150 μm), particelle pulite e prive di agglomerazione. Ciò si traduce in una bassa dispersione della resistività e in una forte consistenza del lotto.
II. Caratteristiche del semiconduttore controllabili, eccellente risposta del varistore
– Semiconduttore a banda proibita ampia. Il carburo di silicio nero possiede intrinsecamente caratteristiche di varistore non lineari; la resistenza diminuisce rapidamente in seguito a improvvisi cambiamenti del campo elettrico, assorbendo con precisione le sovratensioni e fornendo una protezione affidabile contro le sovratensioni.
– Adattabilità alla granulometria 100#. Le particelle grossolane (125–150 μm) formano una rete conduttiva stabile, bilanciando la capacità di conduzione della valvola e la tensione nominale di tenuta, adatta allo stampaggio di valvole di resistenza a media e alta tensione.
– Resistività regolabile. La purezza e la granulometria controllabili consentono di regolare la resistività della valvola (10¹～10⁵Ω·cm), adattandola a dispositivi di protezione di diversi livelli di tensione.
III. Elevata conduttività termica + elevata stabilità termica, forte dissipazione del calore e resistenza alle alte temperature
– Elevata conduttività termica. La conduttività termica è di circa 490 W/(m·K) (3 volte quella del silicio, 1,5 volte quella del rame), dissipando rapidamente il calore generato dalle correnti di picco, prevenendo la rottura termica della piastra della valvola e prolungandone la durata.
– Resistenza alle alte temperature. Punto di fusione 2250℃, temperatura di esercizio a lungo termine fino a 1900℃, le proprietà elettriche/meccaniche non si degradano alle alte temperature, adatto per applicazioni ad alta temperatura e alta frequenza.
– Bassa dilatazione termica. Basso coefficiente di dilatazione termica, minore propensione a crepe e deformazioni dovute a sbalzi di temperatura, struttura stabile della piastra della valvola e forte resistenza agli shock termici.
