Polvere di SiC nano al 99-99,99% 10000#20000#30000#
Polvere di nano SiC al 99-99,99% 10000#20000#30000# si riferisce a polvere extra-fine con particelle di dimensioni nanometriche. La purezza del SiC è fino al 99% e al 99,99%. Il processo di produzione del nano carburo di silicio è diverso dal metodo Acheson, ma viene sintetizzato tramite reazioni chimiche. La polvere di nano SiC ha le caratteristiche di elevata resistenza, elevata durezza ed elevata purezza. È ampiamente utilizzata nei campi dei nanomateriali, delle polveri di macinazione, delle ceramiche speciali, dei materiali compositi, ecc.
Caratteristiche della polvere di SiC nano al 99-99,99%
- Elevata purezza del carburo di silicio. La purezza della polvere di nano carburo di silicio è superiore al 99% e il 99% -99,99% di purezza del SiC sono tutti disponibili con produzione personalizzata.
- La polvere di nanocarburo di silicio ha un’elevata precisione e può essere prodotta da 30 nm a 500 nm.
- Sono disponibili sia polvere di SiC alfa che polvere di SiC beta personalizzate, a seconda delle esigenze.
- La polvere di SiC nano presenta proprietà chimiche stabili e un’elevata resistenza alla corrosione ad alte temperature e ai solventi alcalini acidi.
- La polvere di nanocarburo di silicio presenta un’elevata durezza e una resistenza all’usura superiore.
- La polvere di SiC nano presenta un elevato bandgap, nonché elevate caratteristiche di campo elettrico di rottura critica e un’elevata conduttività termica.
Indice tecnico della polvere di Nano SiC:
| struttura cristallina | Cubo | Esagonale |
| Fase cristallina | B | UN |
| Punto di fusione | 2700° | 2400° |
| Temperatura di decomposizione | 2830°±40° | 2600° dissociarsi |
| Coefficiente di dilatazione termica | 2,5-7×10-6 / °C | 7-9 x10 -6 /°C |
| Conduttività termica | 0,255 W/cmK | 0,410 W/cmK |
| Durezza Mohs | 9,5-9,75 | 9.4-9.5 |
| Durezza Vickers (microdurezza) | 3300-3500 kg/mm2 | 3200-3400 kg/mm2 |
| Divario di banda | 2,2 eV | 2,86 eV |
| Permettività relativa | 9,72 e | 9.66-10.03 |
| Mobilità elettronica | >1000 | 460 |
Specifiche:
| Specifiche | Dimensione media delle particelle | Contenuto di SiC | Frase | Colore |
| β-SiC50nm | 50nm | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde scuro |
| β-SiC80nm | 80nm | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde scuro |
| β-SiC150nm | 150 nm | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde scuro |
| β-SiC500nm | 500 nm | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Grigio verde |
| β-SiC700nm | 700 nm | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Grigio verde |
| β-SiC800nm | 800 nm | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Grigio verde |
| β-SiC1um | 1 centimetro | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC3um | 3um | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC5um | 5um | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC8um | 20:00 | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC10um | 10 micron | 99% / 99,9% /99,99% | β-SiC | Verde |
| α-SiC500nm | 500 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Grigio verde |
| α-SiC700nm | 700 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Grigio verde |
| α-SiC800nm | 800 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Grigio verde |
| α-SiC1um | 1 centimetro | 99% / 99,9% | α-SiC | Giallo verde |
| α-SiC3um | 3um | 99% / 99,9% | α-SiC | Giallo verde |
| α-SiC5um | 5um | 99% / 99,9% | α-SiC | Giallo verde |
| α-SiC8um | 20:00 | 99% / 99,9% | α-SiC | Giallo verde |
| α-SiC10um | 10 micron | 99% / 99,9% | α-SiC | Giallo verde |
*Altre specifiche personalizzate sono disponibili su richiesta.
Scenari applicativi:
- Polveri avanzate per la levigatura e la lucidatura, in particolare nel settore dei semiconduttori.
- Materiali nanocompositi come resine modificate, rivestimenti in nanocarburo di silicio, ecc.
- Supercondensatori.
- Catalizzatori e materiali assorbenti
- Materiali per la stampa 3D
- Materiali refrattari ad alte prestazioni
- Materiali ceramici industriali avanzati speciali
- Semiconduttori a banda larga di terza generazione
Recensioni
Ancora non ci sono recensioni.