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Polvere di carburo di silicio al 99,99% 0,2μm 0,5μm 1μm

La polvere di carburo di silicio al 99,99% è una polvere di SiC ad alta purezza preparata mediante ablazione aerosol. Il carburo di silicio su scala nanometrica presenta un’elevata area superficiale specifica, elevata resistenza, elevata durezza, proprietà chimiche stabili, basso coefficiente di dilatazione termica e buona conduttività termica. È ampiamente utilizzato in nanomateriali, polveri fini, ceramiche speciali e materiali compositi.

$41.00$45.00 / MT

Polvere di carburo di silicio al 99,99% 0,2μm 0,5μm 1μm

La polvere di carburo di silicio al 99,99% è una polvere di SiC ad alta purezza preparata mediante ablazione aerosol. Il carburo di silicio su scala nanometrica presenta un’elevata area superficiale specifica, elevata resistenza, elevata durezza, proprietà chimiche stabili, basso coefficiente di dilatazione termica e buona conduttività termica. È ampiamente utilizzato in nanomateriali, polveri fini, ceramiche speciali e materiali compositi.

Polvere di SiC al 99,99%

Polvere di SiC 0,2μm

Caratteristica:
  1. Elevata purezza del carburo di silicio. La purezza della nanopolvere di SIC è superiore al 99% e sono disponibili nanopolveri con un contenuto di carburo di silicio pari al 99% -99,99% (polvere di SiC 3N 4N).
  2. La polvere di nanocarburo di silicio ha un’elevata finezza e può essere prodotta da 30 nm a 500 nm. Anche il nanocarburo di silicio di grado macinabile con una distribuzione granulometrica stretta può essere personalizzato.
  3. Sia la polvere α-SiC che quella β-SiC possono essere personalizzate e prodotte in base alle esigenze.
  4. La polvere di nanocarburo di silicio ha proprietà chimiche stabili e un’elevata resistenza alla corrosione ad alta temperatura e ai solventi alcalini acidi.
  5. Il nanocarburo di silicio ha un’elevata durezza e una resistenza all’usura superiore.
  6. La nanopolvere di SiC ha un’ampia ampiezza di banda proibita, nonché caratteristiche di campo elettrico di rottura critica elevate e un’elevata conduttività termica.
Indice tecnico della polvere di Nano SiC:
struttura cristallina Cubo Esagonale
Fase cristallina B UN
Punto di fusione 2700° 2400°
Temperatura di decomposizione 2830°±40° 2600° dissociarsi
Coefficiente di dilatazione termica 2,5-7 x10 -6 /°C 7-9 x10 -6 /°C
conduttività termica 0,255 W/cm K 0,410 W/cm K
durezza di Mohs 9,5-9,75 9.4-9.5
Durezza Vickers (microdurezza) 3300-3500 kg/mm2 3200-3400 kg/mm2
Band Gap 2,2 eV 2,86 eV
permittività relativa 9,72 e 9,66-10,03 anni
Mobilità elettronica >1000 460

 

Indice ICP:
Cu (ppm) 7
Fe (ppm) 5
Cr (ppm) 1
Ni(ppm) 6
Co(ppm) 5
Zn (ppm) 3
Al (ppm) 2
Mg (ppm) 3
Na (ppm) 1
W(ppm) 1
V (ppm) 4
FC(ppm) 50
N (ppm) 5

 

Specifiche della polvere di carburo di silicio al 99,99%:

50nm, 200nm, 500nm, 1um, ecc.

 

Applicazione:
  1. Polveri avanzate per la molatura e la lucidatura, in particolare nel campo dei semiconduttori.
  2. Materie prime per utensili di rettifica di precisione.
  3. Riempitivi resistenti all’usura per materiali in nylon modificati, materie plastiche tecniche, gomma, ecc.
  4. Ceramiche funzionali avanzate speciali e ceramiche strutturali.
  5. Additivi per rivestimenti antiusura, rivestimenti in polvere e nanorivestimenti.
  6. Componenti di materiale elettrico.
  7. Materiali refrattari ad alte prestazioni.

 

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